LRCX - Lam 更新:Sep-Q 还有 4 天,$315 维持试错(2026-09-26)

日期:2026-09-26 Asia/Singapore 标的:LRCX / Lam Research Corp. 结论标签:【维持试错 0.5–1% · Sep-Q($8.1B±$4 亿)4 天后封账 · 10 月底验证】

基准底稿:035 主卡 + 9/07 更新(试错 0.5–1%:Jun-Q $6.72B + Sep-Q $8.10B 指引 + -29% 回调兑现)。本卡为 9/26 更新:Sep-Q 9/30 封账前瞻 + Citi TMT 背书。

一、一句话结论

$307.65→$315.21(+2.5%),Sep-Q($8.10B ±$400M,+20.5% QoQ)9/30 封账、10 月底出数——这是 9/07 卡升级逻辑的第一次大考。9/09 Citi 会上管理层把底牌全亮了:WFE low-$1500 亿($1400 亿上调)、NAND 翻倍(256L+)、SAM >36%、$400 亿 NAND 升级 2027 年底压缩完成、2027 驱动 DRAM > foundry/logic > NAND、clean room 是约束但"行业在系统性少供给需求"。维持试错 0.5–1%;Sep-Q 兑现(≥$8.1B 中点)+ GM 52% → 持有并评估加仓;miss → 退回等待。

二、证据底稿(9/07→9/26 增量)

  • 价格(Yahoo 日线实测): 9/18 $288.11 → 9/21 $302.28 → 9/25 $315.21(Muse/AI-infra wave + WFE 上调扩散)。仍低于 6/30 峰值 $433.33(-27%)。
  • Citi TMT 9/09(管理层口径 verified): WFE 2026 low-$1500 亿(上调,无 upside bias 修辞);NAND 收入翻倍(256L+ 企业 SSD);SAM foundry/logic >36%(GAA/ALD/高深宽比);$400 亿 NAND 升级压缩至 2027 年底;2027:DRAM 最快、foundry/logic 次之、NAND 第三;clean room 约束 + 8–10 座 tier-1 新厂 2027 年底前上线;$1000 亿 DC capex ≈ $80–100 亿 WFE(上调);NAND SAM/wafer 128L→500L+ 翻倍;panel(510×515mm 已出货多地域、310×310mm 年内首发);CSBG $25 亿三连纪录。
  • Jun-Q 重申(7/29 verified): $6.72B 纪录(+15.1% QoQ)、GM 52.0%(20 年最高)、OM 38.4%、EPS $1.82;memory 46%(NAND 翻倍、DRAM 持平纪录)。
  • Sep-Q 指引: $8.10B ±$400M、GM 52%±1pp、OM 39.5%±1pp、EPS $2.15±$0.15(~12.55 亿股)。

三、最终结论

标签:【维持试错 0.5–1%】 Sep-Q 兑现 → 持有 + 评估 1–1.5%(需 GM ≥52% 同步);miss 下沿 → 退回等待(需求证伪);Q4(2027 年 setup 定量)是再下一门。

四、投委会摘要

  • 一句话: Lam 的 Sep-Q 是 WFE low-$1500 亿的第一张对账单:$8.1B 兑现则 2027(DRAM>foundry>NAND)叙事开门红,试错转持有。
  • 跟踪优先级: Sep-Q 兑现(10 月底)> GM 52% > NAND/DRAM 拆分 > 2027 定量 > clean room 缓解。
  • 信息缺口: Sep-Q 实绩;Q4 指引;中国占比变化;Lam vs AMAT 份额。

方法论:LOGOS v2.0,基准见 035 主卡与 /lrcx-update-2026-09-07。来源:LRCX 7/29 10-K/Citi 9/09 实录、9 月市场数据。本文为研究底稿,不构成投资建议。